[반도체기초] Vcc Vdd Vee Vss

이전  High Impedance(z) and Unknow(x) 포스팅에서 약속한대로
(http://aboutmadlife.blogspot.kr/2014/09/high-impedancez-and-unknowx.html)
오늘은 Vcc, Vdd, Vee, Vss에 대하여 알아보도록 하겠다. 일반적인 전기전자 관련 공학과를 나왔다면 무수히 많이 보게되는 것들이 위와 같은 약자들인데 전원에서 많이 사용하는 Vcc Vdd와 Gnd를 많이 보았을 것이다. 최근에는 통상 Vcc와 Gnd 정도로 많이들 사용하여 의미가 전달되는데 문제는 없지만 우리는 엔지니어이기 때문에 왜 이런 용어를 썻는지 다시 한번 정확하게 알고 가도록 하자.
벌써 알고 있던 분들도 있겠지만 현재의 반도체라는 것을 거슬러 올라가면 TR과 FET 까지 올라 갈 수 있다. 우리가 알고 있는 IC(칩)들의 최소단위라고 생각하면 되는데 이것들을 이용하여 게이트를 구성하고 게이트들이 모여 블럭을 구성하고 우리가 원하는 동작을 한다.
TR과 FET는 아래와 같이 생겼다.
TR은 C(Collector), B(Base), E(Emitter)로 구성되어 있고 FET는 Drain, Gate, Source로 구성되어 있다. 대충 감이 오는가?

Vcc(+)와 Vee(-)는 TR을 기준으로 했을 때 Collector와 Emitter의 첫글자로 구성한 용어 이고 Vdd(+)와 Vss(-)는 FET를 기준으로 했을 때 Drain과 Source의 첫글자로 구성한 용어이다.
또한 TR은 TTL에 기반을 두고 있고 FET는 CMOS에 기반을 두고 있다.
(http://aboutmadlife.blogspot.kr/2014/09/vih-vil-voh-vol-nmh-nml.html)

그러나 최근에는 TTL과 CMOS논리군이 서호 호환되고 모호해졌기 때문에 위와 같은 용어들이 Vcc(Voltage of Common Collector)와 Gnd(Ground)로 축소 사용되고 있다.

그리고 왜 Vc, Vd, Ve, Vs 라고 하면되지 두개씩 붙였냐고 묻는다면... 기존공학용어에 Vc, Vd, Ve, Vs가 사용되는게 많기 때문에 그것을 피하기 위해서 두개씩 붙였다고 한다.

끝~ 궁금하신 것은 리플 달아주세요~